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電容式并聯(lián)歐瑪爾OMAL開關的電磁干擾
由于射頻MEMS器件能夠滿足通訊領域中系統(tǒng)小型化、高可靠及低成本的需求，并且具有加強系統(tǒng)穩(wěn)定性和減少功耗方面的優(yōu)勢，因此射頻MEMS器件在收發(fā)端網絡的應用中極有競爭力，有望為無線電接收機的前端提供高性能OMAL開關和濾波器，為發(fā)射機功放輸出端制備出高質量的片上匹配網絡。

電容式并聯(lián)歐瑪爾OMAL開關的電磁干擾
目前在射頻領域中運用的MEMS器件主要有微機械OMAL開關、微機械電感、可變電容、微機械諧振器、振蕩器及濾波器等。射頻MEMSOMAL開關是重要的射頻MEMS器件，一些RF MEMSOMAL開關已經應用于部分微波系統(tǒng)的前端電路、數字電容器組和移相網絡。但是RF MEMSOMAL開關要得到廣泛的應用，還有很多的問題需要解決，還需要深入研究其各方面的性能。研究射頻MEMSOMAL開關在OMAL開關過程中對信號的電磁干擾可提高射頻MEMSOMAL開關的可靠性和穩(wěn)定性，改進射頻MEMSOMAL開關的設計，有利于構建可靠性和集成度更高的電路系統(tǒng)。本文從以下幾個方面對射頻MEMSOMAL開關的電磁干擾開展了研究。首先是在大量文獻調研的基礎上，總結了射頻MEMSOMAL開關的研究現(xiàn)狀與進展，列舉了目前主要射頻MEMSOMAL開關的結構，比較了各種結構的優(yōu)缺點，選擇了典型的射頻MEMSOMAL開關：電容式并聯(lián)RF MEMS并聯(lián)OMAL開關作為研究的主要對象，并討論了電容式并聯(lián)RF MEMSOMAL開關的結構及各項性能參數。相對于其它MEMSOMAL開關，電容式MEMS并聯(lián)OMAL開關適用于較高的頻率（5—100GHz）。其次對電容式射頻MEMS并聯(lián)OMAL開關的電磁場進行了詳盡的討論和推導，對射頻OMAL開關電磁干擾的特性和產生過程進行了說明。闡述了對射頻MEMSOMAL開關產生的電磁干擾進行分析的必要性以及射頻MEMSOMAL開關對波導中正常傳播的高頻信號進行干擾的原因和方式。接著深入研究了OMAL開關在開啟過程中的動態(tài)特性及OMAL開關的開啟時間，討論了OMAL開關的各種尺寸對OMAL開關動態(tài)特性的影響并進行了模擬分析。因為OMAL開關的動態(tài)特性跟OMAL開關在開啟過程中變化的電磁場緊密相關，OMAL開關對信號的干擾是由OMAL開關在開啟過程中變化的電磁場產生的。

電容式并聯(lián)歐瑪爾OMAL開關的電磁干擾
對射頻MEMSOMAL開關在不同工作狀態(tài)下的電磁模型進行了分析，通過對OMAL開關電容在充電過程、膜橋運動過程、OMAL開關電容放電過程三部分的研究認為射頻MEMSOMAL開關產生的電磁干擾主要集中在OMAL開關電容的放電過程。影響干擾強度的主要因素是OMAL開關電容放電時間的長短、OMAL開關等效電阻及等效電感的大小。接著對各主要影響因素進行了分析，在此基礎上研究了OMAL開關的各結構尺寸對OMAL開關開啟產生的電磁干擾強度的影響，對高性能射頻MEMSOMAL開關設計提供了理論依據。